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青铜剑科技参展PCIM Asia 2019,纯国产驱动方案广受关注

作者:青铜剑时间:2019-07-10来源:电子产品实际收藏

6月28日,为期3天的(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)在上海世博展览馆圆满落下帷幕。本届展会云集了近百家国内外行业各路厂商,展示了行业最新研究成果和产品技术,是一场电力电子行业的国际盛会。

本文引用地址:article/201907/402527.htm

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青铜剑科技应邀参加 2019,现场展示了,以及适配多种碳化硅器件的碳化硅驱动方案。其中,青铜剑科技以自主研发的ASIC驱动芯片为核心、所有辅助元器件和制程工艺均为国产、完全实现自主可控的“中国芯、纯国产”系列驱动方案一经展出,便成为全场瞩目焦点,备受行业关注。

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当前国际环境复杂多变,芯片依赖进口就会受制于人,芯片国产化迫在眉睫。经过不懈努力,青铜剑科技已成功研发出中国首款IGBT驱动ASIC芯片,填补了国内在该领域的技术空白。采用自主研发的ASIC芯片,青铜剑科技打造安全可靠、具竞争力的纯国产驱动方案,拥有灵活高效、高可靠性、高功率密度等特点,能够大幅提高IGBT性能,并有效保护IGBT模块,满足广大客户对国产自主可控驱动方案的需求。

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同时,青铜剑科技碳化硅驱动方案是企业展台上的另一大亮点。针对英飞凌、三菱、富士、罗姆和Wolfspeed等不同厂家的碳化硅器件配套,青铜剑科技推出多款,具有60kHz至100kHz高工作频率、100kV/μs高抗干扰能力、快速短路保护响应等特点。青铜剑科技有助于充分发挥碳化硅功率器件高温、高频、高压的优势,可广泛应用于汽车的传动系统、电池充电器、直流变换器,以及工业的光伏逆变器、马达驱动器、不间断电源、开关模式电源等领域。

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同期举办的 国际研讨会是国内最具影响力的电力电子学术会议之一。6月26日上午,青铜剑科技主任硬件工程师吴晓光出席“电力电子应用论坛”并发表主题演讲,分享青铜剑科技在“高压IGBT驱动技术”方面的最新研究成果,通过对高压IGBT应用场景、高压门极驱动技术等内容的探讨,详细介绍了青铜剑科技的最新成果,获得了业内专家学者的关注与肯定。

十年铸一剑,匠心不改,以中国心铸就中国“芯”!青铜剑科技掌握IGBT驱动和电量传感核心技术,以创新姿态引领行业发展,争当电力电子芯片进口替代的探索者和实践者,助力中国电力电子技术创“芯”征程。



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