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美光内存路线图:10nm级工艺多达六种 单条64GB马上来

作者:上方文Q时间:2019-07-01来源:快科技收藏

不同于CPU处理器等逻辑芯片的制造都精确到具体数值,闪存、一直都是很模糊的叫法,比如-class(级别),只是介于20nm和之间,然后又分为1xnm、1ynm、1znm等不同版本,越来越先进,越来越接近真正的10nm。

本文引用地址:article/201907/402096.htm

随着先进半导体难度的急剧上升,Intel这样的巨头都开始吃不消,在工艺上一贯精打细算的闪存厂商也走出了一条新路,比如

相比三星、SK海力士,虽然也是DRAM巨头之一,但工艺一直不算很先进,10nm级上更是玩出了花活,挤牙膏手法之新颖让Intel都会自叹弗如。

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早已有了成熟的第一代10nm级工艺也就是1xnm,目前正在扩大产能的是第二代1ynm,生产对象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4颗粒等。

当前美光正在与客户验证第三代1znm,预计很快就会官宣,并在2020财年(今年9月开始)投入量产,据称会主要用来生产16Gb LPDDR5、DDR5颗粒。

按照DRAM内存行业以往的惯例,接下来就要超越10nm级工艺了,但想进入个位数时代实在太难,美光计划在1nm级上多呆几年,并准备了至少三种新的10nm级工艺:1αnm、1βnm、1γnm——没错,都用上希腊字母了。

如此一来,美光将会有多达六种10nm级工艺,有调研机构称美光其实还有个升级版的1xsnm,但没有得到官方确认,如果属实将有七种,切不排除未来增加更多版本。

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1αnm、1βnm、1γnm当然会一个比一个更先进,一个比一个更逼近10nm,不过具体细节美光暂未披露,只是说会在1βnm、1γnm阶段会用上沉浸式四重曝光技术,比现在的双重曝光、三重曝光更复杂。

同时,美光还在评估EUV极紫外光刻技术,预计届时只需双重曝光,可大大降低工艺复杂度,但具体什么时候、在哪代工艺上使用,美光还没有做出决定。

美光估计,DRAM内存生产中每一个EUV层需要1.5-2套EUV光刻机,月产能可达10万片晶圆,CPU等逻辑芯片则需要一个EUV层对应一台EUV光刻机,月产能也仅有4.5万片晶圆。

目前,台积电、三星已经开始在7nm工艺升级版上部分引入EUV,接下来的5nm上会全面部署,DRAM内存行业显然不会那么快。 

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另外,台北电脑展上我们已经见到威刚、英睿达(美光消费级品牌)展示单条32GB DDR4 UDIMM消费级内存条,使用的都是美光最新的1ynm 16Gb DDR4颗粒。

美光透露,还会用这种颗粒制造单条64GB容量的RDIMM服务器内存。

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关键词: 美光 内存 10nm 工艺

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